малошумящие операционные усилители

Тип работы: Реферат

Предмет: Электроника

11 11 страниц
3 + 3 источника
Добавлена 24.11.2016

748 руб.

Содержание
Часть работы
Список литературы
Вопросы/Ответы

Введение 3
1 Источники внешнего и внутреннего шума 4
2 Малошумящие операционные усилители 6
Заключение 10
Список использованных источников 11

Фрагмент для ознакомления

Для сравнения ряда высоковольтных (до 44 В) операционных усилителей компании AnalogDevices на рисунке 2 показаны значения плотности шумового напряжения и RS, OP на частоте 1кГц. Диагональная линия отображает шум Джонсона, связанный с сопротивлением.Рис.2. Шумы операционных усилителей фирмы AnalogDevicesРассмотрим сравнительную таблицу различных малошумящих ОУ, производимых компанией Maxim (таблица 1) [3]. Таблица 1 - Номенклатура и параметры малошумящих ОУ компании MaximНаименованиеКоэффициент подавления пульсаций напряжения питания, дБВходной ток, нАЧастота единичного усиления, мГцСкорость нарастания выходного напряжения, В/мксСпектральная плотность шума, нВ/√ГцMAX4231850,05101012MAX42361200,51,70,314MAX42501000,130,38,9MAX42551000,1222,18,9MAX44751200,151034,5MAX44761200,151034,5MAX44901002,5101012MAX9945100–32,215 Лучшее по значению спектральной плотности шума семейство MAX410/12/14 имеет показатель 1,5 нВ/√Гц. Этот показатель соответствует наиболее высоким достижениям в отрасли. Кроме того, отметим семейство MAX4091/92/94 с точки зрения энергопотребления, хорошие показатели у MAX4488/89 по динамике. Операционные усилители семейства MAX4230/31/32/33/34 являются достаточно привлекательными для тех приложений, где существенным фактором является цена. ЗаключениеВ ходе выполнения данного реферата были проанализированы источники внутреннего и внешнего шума для малошумящих ОУ. Внешний шум состоит из различных внешних воздействий, таких как влияние внешних компонентов и помех, которые образуются за счет электрических и электромагнитных полей. Представлены формулы, описывающие шумовое напряжение и ток. Дано определение понятия шума Джонсона. Приведен сравнительный анализ шумов операционных усилителей фирмы AnalogDevices. Представлены ОУ фирмы Maxim, как альтернатива рассматриваемым малошумящим усилителям от компании AnalogDevices.Список использованных источниковПол Ли. Руководство по выборумалошумящего усилителя / Компоненты и Технологии, № , 2010, с.46-51.Волович Г.И. Схемотехника аналоговых и аналого-цифровых устройств. – М.: Додека-XXI, 2005.http://www.compel.ru/lib/ne/2010/5/6-operatsionnyie-usiliteli-kompanii-maxim

1. Пол Ли. Руководство по выборумалошумящего усилителя / Компоненты и Технологии, № , 2010, с.46-51.
2. Волович Г.И. Схемотехника аналоговых и аналого-цифровых устройств. – М.: Додека-XXI, 2005.
3. http://www.compel.ru/lib/ne/2010/5/6-operatsionnyie-usiliteli-kompanii-maxim

низкий уровень шума встроенный усилитель

низкий уровень шума ВСТРОЕННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ

пояснительная записка к курсовому проекту по дисциплине

«Интегрированные устройства радиоэлектроники»

низкий уровень шума ВСТРОЕННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ

. Исходные данные источника сигнала:

.1 Выходное сопротивление 60 Ом

.2 Амплитудой 2 мкв

. Входные данные усилителя:

.1 Коэффициент усиления > 25 дб

.2 диапазон рабочих частот 1-3 Ггц

.3 Сопротивление нагрузки 70 Ом

.4 Питания однополярное 10

. Условия работы:

.1 Температура окружающей среды 27 º

.2 относительная Влажность 96 % при 27 º

. Специальные требования:

.1 Достичь усилителя в бескорпусном однокристальном исполнении

.2 В качестве активных элементов для использования в области транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ) с шириной не более 250 мкм

.3 Обеспечить сведение к минимуму дифференциального коэффициента шума в полосе рабочих частот

.4 Минимальный топологический размер (проектная норма) - 0.2 мкм

. Индивидуальная деятельность:

.1 Исследовать влияние ширины затвора на коэффициент шума и другие характеристики ПТШ

.2 Разработать технологию изготовления кристалла

. Содержание отчета:

Введение, анализ технического задания, проектирования малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки, функциональный дизайн усилителя, разработка конструкции и топологии кристалла, разработка технологии изготовления кристалла, выводы, библиография, приложения (если необходимо)

. Техническая и технологическая документация:

.1 Схема электрическая принципиальная

.2 Чертеж общего вида кристаллов

.3 Топологических сборки и послойный чертежи

.4 Схема технологического процесса с профилями созданы структуры,

. Основная рекомендуемая литература