програмирование

Работа микроконтроллера и его программирование

Программирование микроконтроллера написано:

¦ кодов команд программы и констант в FlashROM;

¦ кодов исходных данных в EEPROM;

¦ необходимые значения установочных битов (Fuse Bits);

¦ запрашиваемых значение битов защиты (Lock Bits).

В микроконтроллерах, поступающих в продажу, во всех ячейках FlashROM записан код $FFFF, во всех ячейках EEPROM -- код $FF, биты защиты имеют изолированные значения, и установки биты могут иметь разные значения. Исходные значения установки битов микроконтроллеров разных типов указаны в приложении П6. Кроме того, в три специальных ячеек памяти записаны сигнатурные байты, который определяет тип микроконтроллера.

Коды, записанные в FlashROM и EEPROM, сигнатурные байты и значения установочных битов и битов защиты могут быть прочитаны для контроля правильности записи и определения типа и состояния микроконтроллера.

В микроконтроллерах семей AVR имеет два бита защиты -- LB1 и LB2. Когда диск стоимость обоих битов возможны и для чтения и записи кодов. После программирования биты LB1 (LB1=) продолжение запись кодов в FlashROM и EEPROM и изменение стоимости установки бита невозможно. После программирования бита LB2 (LB1=O, LB2 = 0) не может быть, чтение кодов, зарегистрированных в FlashROM и EEPROM, ценности и установки бит.

При перепрограммировании микроконтроллера (программировании микроконтроллера, ранее прошедшего программирование) необходимо предварительно "стереть" прошлое регистрация.

Если удалить все ячейки FlashROM и EEPROM сбрасываются коды $FFFF $FF, соответственно, биты защиты принимают единичное значение, а установочные биты и сигнатурные байты, остаются неизменными. Допускается выполнять до 1000 циклов "удалить запись" для ячейки FlashROM и до 100000 циклов ячеек EEPROM.

Запись и чтение кодов программирования выполняются побайтно. Входных и выходных битов в байте могут выполняться параллельно или в серии.

В микроконтроллерах семейства AVR реализованы следующие методы программирования:

1. Параллельное программирование с использованием дополнительного источника напряжения + 12 в (High-Voltage Parallel Programming, HVPP);

2. Последовательное программирование с использованием дополнительного источника напряжения + 12 в (High-Voltage Serial Programming, HVSP);

3. Последовательное программирование без использования дополнительного источника напряжения {Low-Voltage Serial Programming, LVSP).