Поверхностные свойства полупроводниковых газочувствительных материалов

Полученные результаты представлены на рис.10. Видно, что при всех трех измеренных температурах композиты состава 97SnO2-3In2O3 проявляли минимальную чувствительность к этанолу. Рисунок 10 – Внешний вид зависимости газочувствительности образцовВ газочувствительных материалах протекают механизмы аморфизации при ионной имплантации. При этом происходитимплантация кристаллов ионами, которая сопровождается накоплением вакансионных комплексов: дивакансий и РТ-центров в аморфном кремнии[12]. Образование аморфных зон в результате первичных процессов, происходит, если выполняются следующие условия:облучение должно проводиться при очень низких температурах, когда тепловое движение компонентов пар Френкеля заторможено;время термолизации РО много меньше характерных времен взаимодействия дефектов между собой;концентрация дефектов в РО больше критической.Возможность роста аморфной фазы на зародышах иллюстрируется следующим экспериментом. Слой с предварительно введенными аморфными областями путем облучения ионами облучался протонами. Доказано, что число центров растет с увеличением дозы протонов (рис. 11).Рисунок11.Внешний вид зависимости по изменению числа центров при облучении кремния протонами Е = 5 кэВТакже установлено, что в процессе хемосорбции газов – доноров (пропана, водорода, оксида углерода) в приповерхностном слое полупроводника локализуются дырки, что соответственно приводит к увеличению количества электронов проводимости и электропроводности. В процессе использования как адсорбента полупроводникового n-типа (оксиды никеля, железа, меди) описанные процессы носят аналогичный характер с учетом изменения знака носителей заряда. Иллюстрация таких процессов происходит при помощи диаграммы искривления энергетических зон у поверхности газового полупроводника n-типа при адсорбции газа – акцептора (рис. 1,а) и полупроводника р-типа при адсорбции газа – донора (рис. 1,б) [13].Рисунок 12 – Внешний вид искривления энергетических зон при хемосорбции газов на поверхности полупроводников n-типа (а) и р-типа(б): I – дохемосорбции; II – послехемосорбции (α – средство к электронуадсорбируемой молекулы: φ = работа из полупроводника; qSV– образовавшийся потенциальный барьер; J –ионизационный потенциал адсорбируемой молекулы ; L – область поверхностного заряда)ЗаключениеВ заключении отметить, что в условиях современных организаций, как частных, так и государственных,изучение тематики поверхностных свойств полупроводниковых газочувствительных материаловактуально. Благодаря имстановится возможным прогнозирование формирования характеристик таких материалов, что позволит повысить их качество и безусловно будет способствовать развитию организации в целом с увеличением ее доходов.В данной работе достигнута основная цель – описаныповерхностные свойства полупроводниковых газочувствительных материалов.В данном реферате были решены следующие задачи:описаны поверхностные состояния в полупроводниковых материалах;приведена структура полупроводниковых материалов;приведены электрофизические свойства полупроводниковых материалов;приведеныповерхностные свойства газочувствительных материалов и их механизмы.Также в процессе написания реферата были использованы современные и классические источники литературы и глобальной сети Internet.Список использованной литературыАньчков М. Г. Анализ газочувствительности полупроводниковых наноматериалов в постоянном и переменном электрических полях // Молодой ученый. — 2012. — №11. — С. 16-20.Бебешко Г. П., Нестерина Е. М. Газочувствительные электроды в ионометрическом анализе природных и техногенных объектов. Определение иона аммония в водах. Заводская лаборатория. Диагностика материалов 2016 №05 том 82. – М.: ТЕСТ-ЗЛ. — С. 9 – 24Бормонтов Е.Н., Хухрянский М.Ю. Моделирование поверхностных свойств полупроводников. Учебно-методические материалы к лекциям и практическим занятиям. Воронеж: ВГУ, 2002. – 23 с.Ткачева Т.М. Физические основы микроэлектроники. Учебное пособие. — М.: МАДИ, 2015. – 188 с. Смирнов В.И. Неразрушающие методы контроля параметров полупроводниковых материалов и структур. Учебное пособие. — Ульяновск: УлГТУ, 2012. – 75 с.Холодков И.В. Физическая электроника и электронные приборы. Иваново: Ивановский государственный химико-технологический университет, 2008. — 494 с.Рогачков В.В. Газочувствительныенанокомпозиты на основе диоксида олова, полученные методом химического соосаждения. Казань: Молодой ученый 2013 №06 июнь (Том 1). – С. – Д.В. Русских, Е.А. Русских, В.Е. Туев Диагностика опасных газов с использованием вольт-амперных характеристик тонкопленочных газочувствительных структур. Зенин Ю.Н. (сост.) Пожарная безопасность: проблемы и перспективы 2011 Часть 1. – Материалы II Всероссийской научно-практической конференции с международным участием. В 2 Ч-х Часть 1 Воронеж: ВИ ГПС МЧС России, 2011. –. С. Пронин И.А. Анализ концентрации собственных дефектов при создании газочувствительных структур на основе диоксида олова. Казань: Молодой ученый – 2012 №08 (43) Том 1. – С. Янковский Ю.Н. и др. Ионно-радиационные методы модификации полупроводниковых материалов. Пособие. — Минск: БГУ, 2014. – 156 с.Петров В.В., Плуготаренко Н.К., Королев А.Н., Назарова Т.Н. Технология формирования нанокомпозитных материалов золь-гель методом. Таганрог, ТТИ ЮФУ, 2011. – 156 с.Мошников В.А., Александрова О.А. (ред.) Новые наноматериалы. Синтез. Диагностика. Моделирование (лабораторный практикум). СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2015. — 248 с.ИрхаВ.И. Процессы, происходящие в полупроводниках при взаимодействии с газовой средой. НауковіпраціОНАЗім. О.С. Попова, 2012, No 2. – С49 – 54.