Вольт-амперная характеристика(ВАХ) полупроводникового фотодиода

Заказать уникальную курсовую работу
Тип работы: Курсовая работа
Предмет: Физика
  • 16 16 страниц
  • 0 + 0 источников
  • Добавлена 21.07.2020
1 496 руб.
  • Содержание
  • Часть работы
  • Список литературы
  • Вопросы/Ответы
Содержание
Введение…………………………………………………………………………...4
1. Анализ методических указаний……………………………………………….6
1.1. Оборудование и приборы……………………………………………………6
1.2. Основные теоретические положения лабораторного исследования……...7
1.3. Основные параметры фотодиода…………………………………………..10
2. Анализ измерительной цепи………………………………………………….12
2.1. Измерительный преобразователь…………………………………………..12
2.2. Структурная схема измерительного преобразователя……………………12
3. Основные выводы о характеристиках фотодиода…………………………..18
3.1. Результаты измерения ВАХ диода………………………………………...18


Фрагмент для ознакомления

Принцип работы дифференциальных датчиков (Рис.3) состоит в следующем: исходный сигнал подается одновременно на два идентичных измерительных преобразователя, выходной сигнал которых пропорционален разности выходных сигналов ИП каждого из каналов. При этом выходные сигналы с одинаковыми знаками вычитаются, а разными – суммируются.
Компенсационная схема является наиболее совершенной схемой измерения. Основным достоинством компенсационных датчиков является компенсация энергетических и других параметров измерения, поскольку измеряемая величина автоматически уравновешивается компенсирующей величиной непосредственно или после преобразования.
Самыми точными из всех выше перечисленных преобразователей являются преобразователи с отрицательной обратной связью (ООС). ООС существенно снижает влияние погрешностей звеньев прямой цепи на результат преобразования. В итоге, источниками погрешности являются только звенья, не охваченные ООС. Чем больше звеньев цепи, охваченных ООС, тем точнее измерение. Таким образом, общая погрешность преобразования практически определяется только погрешностью  обратной связи. В результате, требования к погрешности  прямого канала значительно снижается.
Итак, в этой главе были изучены основные параметры ВАХ полупроводникового диода, методы их измерения и принципы преобразования одной физической величины в другую, или измерительный сигнал. Подробно были рассмотрены схемы прямого и многократного преобразования, и основные типы датчиков, использующихся при реализации указанных схем измерения сигналов.












8



.

-

Вопрос-ответ:

Какие основные теоретические положения рассматриваются в статье?

В статье рассматриваются основные теоретические положения по изучению амперно-вольтной характеристики (ВАХ) полупроводникового фотодиода. В частности, описывается оборудование и приборы, которые используются при проведении лабораторного исследования. Также освещаются основные параметры фотодиода.

Какие методические указания рассматриваются в статье?

Статья анализирует методические указания, связанные с проведением исследования амперно-вольтной характеристики полупроводникового фотодиода. Рассматривается оборудование и приборы, которые следует использовать при проведении лабораторного исследования. Также даются основные теоретические положения и параметры фотодиода.

Какие основные параметры фотодиода рассматриваются в статье?

В статье рассматриваются основные параметры фотодиода, которые влияют на его работу и эффективность. Это, например, площадь активной поверхности фотодиода, энергетическая ширина запрещенной зоны полупроводника, коэффициент пропускания полупроводника для света и т.д. Знание этих параметров позволяет более точно исследовать амперно-вольтную характеристику фотодиода.

Какова структурная схема измерительного преобразователя?

Статья представляет структурную схему измерительного преобразователя, который используется при измерении амперно-вольтной характеристики полупроводникового фотодиода. Схема включает в себя различные элементы, такие как генератор источника тока, переменное сопротивление, амперметр и вольтметр. Эти элементы используются для измерения тока и напряжения на фотодиоде при различных условиях и параметрах.

Какие методические указания разбираются в статье?

В статье анализируются методические указания к лабораторному исследованию ВАХ полупроводникового фотодиода.

Какое оборудование и приборы используются в лабораторном исследовании ВАХ полупроводникового фотодиода?

Для лабораторного исследования ВАХ полупроводникового фотодиода используется определенное оборудование и приборы, которые указаны в методических указаниях.

Какие основные теоретические положения рассматриваются в статье?

Статья рассматривает основные теоретические положения, связанные с ВАХ полупроводникового фотодиода, необходимые для проведения лабораторного исследования.

Какие параметры фотодиода являются основными и рассматриваются в статье?

В статье рассматриваются основные параметры фотодиода, которые необходимы для понимания его работы и анализа полученных результатов исследования ВАХ.

Какая структурная схема измерительного преобразователя используется в лабораторном исследовании ВАХ полупроводникового фотодиода?

В лабораторном исследовании ВАХ полупроводникового фотодиода используется определенная структурная схема измерительного преобразователя, которая подробно описана в статье.