Что такое интегральная схема

Основным элементом интегральных микросхем является интегральный резистор. Интегральный резистор выполнен на основе полупроводников. Известно [6], что полупроводники при различной степени легирования, варьируют величину удельного сопротивления в достаточно широких пределах.Подобные элементы имеют существенный недостаток, который выражается в высоком уровне нелинейности вольт-амперной характеристики.Интегральные резисторы включаются в интегральные микросхемы, т.к. использование других разновидностей резисторов невозможно по технологическим или иным причинам.Согласно [5] в роли резистора применяют:– области биполярного транзистора (диффузионные резисторы);–области полевого транзистора (МОП резисторы).Диффузионные транзисторы выполняютсяна основе областей транзистора, формирующихся с помощью диффузии. Области составных частей транзистора:– коллектора;– базы;– эмиттера обладают различными размерами, т.е. их площадь варьируется. Следовательно, в них содержится различная концентрация примесей. Как результат, у них разная проводимость. Поэтому величина диффузионных резисторов находится в диапазоне 50 Ом – 500 кОм.В случае образования в верхней части области базы р проводимости, то величина коллектора уменьшится, что приведет к росту величины сопротивления резистора. Подобное исполнение наблюдается в пинч-резисторах.Вторая вариация интегральных резисторов – это МОП (МДП) резисторы, выполняемые на основе полевого транзистора. В качестве резистора выступает встроенный канал.Учитывая, что в канал могут быть инжектированы или извлечены носители заряда, то величину резистора можно менять. В результате, может быть создан переменный резистор с электрическим управлением величины, R=f(U). Интегральные резисторы обладают недостатками:– низкая точность номинала. Это допустимо в цифровых схемах, но совершенно не приемлемо в аналоговых;– большая площадь подложки, что не желательно в интегральных схемах, так как ограничивает степень интеграции.ЗаключениеВ ходе выполнения работы была исследована интегральная микросхема. Рассмотрена планарная технология монтажа, которая позволяет располагать компоненты достаточно близко друг к другу, что существенно экономит место. Поверхностный монтаж обеспечивает высокую надежность изготавливаемой электроники.Снижение длины проводников повышает передачу высокочастотных и слабых сигналов, уменьшается нежелательная индуктивность и емкость. Интегральные резисторы классифицируются на диффузионные и МОП резисторы. Основной недостаток интегральных резисторов выражается в высоком уровне нелинейности вольт-амперной характеристики.Нормальная работа конденсатора может быть достигнута только в случае обратного смещения р-n перехода. Следовательно, напряжение на конденсаторе должно иметь строго определенную полярность. Кроме того, емкость зависит от напряжения. Это значит, что конденсатор является нелинейным с вольт-фарадной характеристикой, как у варикапа. Однако чаще требуются линейные конденсаторы с постоянной емкостью, которые способны пропускать без искажения переменные сигналы и «блокировать», т. е. не пропускать постоянные составляющие сигналов.Список использованных источниковИванов Ю.В., Лакота Н.А. Гибкая автоматизация производства РЭА с применением микропроцессоров и роботов: Учеб. пособие для вузов. - М.: Радио и связь, 1987. - 464 с.USB - универсальная последовательная шина. [Электронный доступ]: https://www.kipis.ru/info/index.php?ELEMENT_ID=3707Чепрасова А.С., Мамелин Ю.В. Сверхбольшие интегральные схемы // Национальная Ассоциация Ученых. 2016. № 8 (24). С. 52-54. Меркутов А.С., Калыгина Л.А., Корнилов А.А., Плетнев А.А., Иванов В.С. // Функциональный прототип на программируемой логической интегральной схеме цифровой сверхбольшой интегральной схемы для радиосистем. Патент на полезную модель RU 196572 U1, 05.03.2020. Заявка № 2018147019 от 26.12.2018.Котова К.Ю., Кожанов Р.В. Применение информационных технологий при проектировании топологии и структуры полупроводниковой интегральной схемы // В сборнике: Поколение будущего: Взгляд молодых ученых - 2018. сборник научных статей 7-й Международной молодежной научной конференции: в 4 томах. 2018. С. 73-77.Филяк, М.М.Конструктивно-технологические основы микроэлектроники:учебное пособие / М. М. Филяк; Оренбургский гос. ун-т.–Оренбург: ОГУ, 2011. – 112 с.