Микроэлектронные датчики
Заказать уникальные ответы на билеты
Тип работы:
Ответы на билеты
Предмет:
Электроника
- 13 13 страниц
- 7 + 7 источников
- Добавлена 31.05.2024
748 руб.
- Содержание
- Часть работы
- Список литературы
1 Датчики оптического излучения. Фототранзисторы. 2
2 Области использования датчиков давления. 7
3 Последние достижения в области приемников ИК излучения 9
Список использованных источников 13
2 Области использования датчиков давления. 7
3 Последние достижения в области приемников ИК излучения 9
Список использованных источников 13
Фрагмент для ознакомления
1. Смирнов А. Д. Микроэлектронные датчики физических величин: учеб. пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2016. 40 с.
2. Оптические датчики [Электронный доступ]: https://leuze.ru/opticheskie-datchiki
3. Средин В.Г., Укроженко В.М. Взаимодействие лазерного излучения с полупроводниковыми соединениями // Зарубежная электронная техника. №2. 1986 г. с.33-56.
4. Дж. Фрайден Современные датчики. Справочник. Москва: Техносфера, 2005. – 592 с.
5. Области применения датчиков давления [Электронный доступ]: https://agat-npo.ru/page/62.
6. Варавин В.С., Васильев В.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сусляков А.О., Сидоров Ю.Г., Захарьяш Т.И. Фотодиодная структура для приемника инфракрасного излучения. Патент на полезную модель RU 75505 U1, 10.08.2008. Заявка № 2008111133/22 от 24.03.2008.
7. Фомин Ф.В. Современное состояние и перспективы развития зарубежных ИК-систем. Под ред. Н.Н. Вилковой. – Москва : ЗАО «МНИТИ», 2018. – 35 с
2. Оптические датчики [Электронный доступ]: https://leuze.ru/opticheskie-datchiki
3. Средин В.Г., Укроженко В.М. Взаимодействие лазерного излучения с полупроводниковыми соединениями // Зарубежная электронная техника. №2. 1986 г. с.33-56.
4. Дж. Фрайден Современные датчики. Справочник. Москва: Техносфера, 2005. – 592 с.
5. Области применения датчиков давления [Электронный доступ]: https://agat-npo.ru/page/62.
6. Варавин В.С., Васильев В.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сусляков А.О., Сидоров Ю.Г., Захарьяш Т.И. Фотодиодная структура для приемника инфракрасного излучения. Патент на полезную модель RU 75505 U1, 10.08.2008. Заявка № 2008111133/22 от 24.03.2008.
7. Фомин Ф.В. Современное состояние и перспективы развития зарубежных ИК-систем. Под ред. Н.Н. Вилковой. – Москва : ЗАО «МНИТИ», 2018. – 35 с