Определение параметров полупроводниковых диодов, транзисторов и интегральных аналоговых микросхем
Заказать уникальную курсовую работу- 26 26 страниц
- 0 + 0 источников
- Добавлена 13.01.2010
- Содержание
- Часть работы
- Список литературы
- Вопросы/Ответы
Сборка полупроводниковых приборов и интегральных схем
Министерство образования российской Федерации
Кафедра: "Электроника, механика".
Курсы проекта
Сборка полупроводниковых приборов и интегральных схем
Выполнил: ст-т гр. ЭПУ - 32
Козачук Виталий Михайлович
Проверил: доцент
Шумарин Виктор Пракофьевич
Саратов 2000
СБОРКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
И интегральных схем
Особенности процесса сборки
Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем является наиболее трудоемким и ответственным технологическим этапом в общем цикле их изготовления. От качества сборочных операций в сильной степени зависит стабильность электрических параметров и надежность готовой продукции.
Этап сборки начинается после завершения групповой обработки полупроводниковых пластин по планарной технологии и разделения их на отдельные элементы (кристаллы). Эти кристаллы могут иметь более простой (диодную или транзисторную) структуру или включает в себя сложную интегральную цепь (с большим количеством активных и пассивных элементов) и сделать для сборки дискретных, гибридных или монолитных дорожек.
Сложность процесса сборки состоит в том, что каждый класс дискретных приборов и ИМС имеет свои конструктивные особенности, которые требуют вполне определенных сборочных операций и режимов их проведения.
Процесс сборки включает в себя три основные операции: присоединение кристалла к основанию корпуса; присоединение токоведущих выводов к активным и пассивным элементам полупроводникового кристалла на внутренние компоненты корпуса; уплотнение кристаллов от внешней среды.
Присоединение кристалла к основанию корпуса
Присоединения кристалла полупроводникового прибора или ИМС к основанию корпуса осуществляется с помощью процессов пайки, приплавления с использованием эвтектических сплавов припоя.